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次世代パワー半導体電子部品の接合強度評価

次世代パワー半導体の高強度接合部の測定が可能です。

次世代パワー半導体の実装技術課題

SiCなどの次世代パワー半導体は、広範囲な温度領域において優れた特性を示します。同じく周辺部材にも温度耐久性が求められるため、この要求を満たすダイアタッチやワイヤ等の材料開発が活発に行われています。日産アークでは、お客様の目的に応じてこれら電子部品接合部の強度評価手法をご提案します。

装置仕様

●接合強度が強いサンプルでも測定が可能です。

●高温領域での強度試験が可能です。
1. 荷重範囲 :シェア方向 0〜200kgf
          プル方向  0〜5kgf
2. 測定精度 :測定レンジフルスケールの±0.1%

3. 測定温度 :室温〜300℃

4. 測定モード:@ワイヤプル
        Aツィザーピール
        Bダイシェア    

高温ダイアタッチのシェア強度温度特性

ダイシェア強度はパワー半導体のダイアタッチ性能を表す重要なパラメータのひとつです。製品の供用期間、動作温度(Tj)全領域において所定の強度を維持する必要があります。下図は、各種高温はんだを使用しCu基板上に形成したSiCダイアタッチ(未使用)のシェア強度温度特性です。Zn-AlやAu-Geは、300℃においても強度低下が小さいことがわかります。

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