冷却カーブを使った高精度Tj測定によるパワーサイクル試験

パワーサイクル試験時に正確な温度ストレスを与えることが可能です。

冷却カーブを使った外挿法Tj測定の検証

TO-247パッケージに実装されている市販SiC-MOSFETを、モールド樹脂を除去後に黒色塗料を塗った状態にて定電流印加による2秒通電のTjパワーサイクル試験を行いました。ターンオフ後のTjは、①放射温度計、②100μs法、③100~400μsの間の冷却カーブを使った外挿法、で測定しました。

外挿法で実測した冷却カーブから、100μs法では、真のTjより約8℃低く温度を指示することが判明しました。また、外挿法は、パワーサイクル試験の間、放射温度計と測定値がほぼ一致することが確認できました。

実際のサンプルでは、モールド樹脂によりチップが覆われていて放射温度計による測定ができないため、半導体温度特性の冷却カーブを使った高精度Tj測定が効果を発揮します。
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