パワーサイクル試験による電気・熱ストレスを印加した半導体チップ信頼性評価

ワイヤボンディング接続部や半田接合部の信頼性を効率的に検証可能です。

半導体素子の通電加熱で信頼性課題を洗い出す

パワーサイクル試験は半導体チップを直接通電することによって加熱するため、実際の使用状態に近い温度分布と熱応力ストレスによる信頼性試験になります。
電流が集中するボンディングワイヤやチップに発熱が集中し、その部分と周辺の劣化が加速されます。
下の写真はTO-247リードフレームに実装したSiC-SBDを樹脂モールドしない状態にて、試験中の発熱をサーモカメラで観察したものです。

個別温度制御により温度ストレスばらつきを低減することが可能

複数試料を同時に試験する際には、それぞれの試料のオン抵抗が異なるため、同じ電流を印加すると各試料の温度にばらつきが生じます。日産アークでは、複数試料を個別に電流を調整することによって温度を制御し、試料間の温度ストレスばらつきを低減することが可能です。

試験評価後の故障解析

試験後の試料はすぐに故障解析を行うことが可能です。パワーサイクル試験に特有の故障例としてAlワイヤ接合部のクラックを紹介します。断面観察により微細なクラックも発見することができます。

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