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次世代パワー半導体接合材のX線非破壊観察

非破壊で内部構造やクラック、ボイドの発生を把握できます。

高温ダイアタッチ材のクラック調査

SiCやGaNなどの次世代パワー半導体の接合に使用される高温ダイアタッチは、高い耐熱信頼性が求められます。高温ダイアタッチ材として注目されているナノAgとAu-Ge半田の温度サイクルに対する信頼性を調べるため、冷熱サイクル試験前後におけるクラック発生状況を非破壊で観察しました。

3000サイクル後、両ダイアタッチ材で初期には存在しなかったクラックが認められました。評価試験時に非破壊観察を行い、変化があれば分析を進めるといったことも可能です。

ダイアタッチ材のボイド観察

ダイアタッチ材にボイドが存在すると、接合強度が低下するばかりではなく、抵抗上昇の原因ともなります。X線透過観察により、ボイドの有無を非破壊で確認できます。

測定対応条件

・画像分解能:5μm
・サンプルトレイサイズ:250×300mm
・荷重:3kgまで
 ステージ傾斜により、実装基板を任意の角度で観察できます。

パワーエレクトロニクス,次世代パワー半導体,高温ダイヤタッチ,X線非破壊観察,クラック,ボイド

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