X線散乱法による薄膜構造キャラクタリゼーション

ｎｍ薄膜や多様な結晶性の薄膜まで、様々な構造情報を提供します。

X線反射率法（XRR）による薄膜の膜厚、密度、界面状態解析

・nm〜数100nmの薄膜の膜厚、密度、ラフネスを定量的に評価できます。
・界面・表面の改質層、変質層を定量的に捉えることできます。
・材質を問わず、結晶質、非晶質のいずれも測定できます。

粉末X線回折パターンのリートベルト解析

・格子定数や格子内の原子の位置を正確に求めることができます。
・種々の温度で真空または各種雰囲気中で測定した回折パターンに適用可能です。

X線を用いた薄膜の配向性評価

・結晶の方位分布を評価できます。
・結晶子径も測定・解析できます。

X線反射率法による薄膜の線膨張率測定

・wafer基板上の薄膜の線膨張率を評価できます。
・高温下での膜厚変化をサブnmの精度でダイレクトに観察できます。

斜入射X線小角散乱（GI-SAXS）法による薄膜内のナノ構造の評価

・薄膜内のナノメーターオーダーの構造を評価することができます。
・膜の組成を問わず、有機物、無機物のいずれも測定できます。

電子部品の断面観察

・はんだ接合部の精密な調製技術を有しております。
・オージェ電子分光法により界面の拡散層が分かります
・レーザ顕微鏡および画像処理により粒径などの定量が可能です。

二次電子放出係数の測定技術

物質の二次電子放出係数δが測定できます。
・一次電子エネルギーや電子線入射角に対するδの依存性を測定できます。
・オージェ電子分光分析を併用し、表面組成を同時に調査することができます。