サービス案内
分析別一覧

表面分析

AESによるSi系負極の元素分布分析

AESによるSi系負極の元素分布分析

新しいAES装置の導入により、位置分解能が向上しました。

Smartオンゴーイング信頼性試験

Smartオンゴーイング信頼性試験

従来の連続信頼性試験では、終了した時点で各種評価を複数の機関で行っていたため、どの時点で故障が起きたのかわかりにくく、評価結果のフィードバックも遅くなりがちでした。日産アークが開始するSmartオンゴーイング試験サービスでは、信頼性試験や各種評価をすべて自社で行うため、異常発生を速やかにとらえ、過剰劣化を防ぎ、迅速なフィードバックが可能です。特に、SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスで必要な高温信頼試験(〜300℃)も可能です。

“EC-in-situ RAMAN法”による電池の状態解析

“EC-in-situ RAMAN法”による電池の状態解析

電池反応の解析には活物質や電解液の状態をその場で分析することが重要です。
EC-in-situ RAMAN法(Electrochemical-in-situ RAMAN spectroscopy)は、光学セルを用いて電位を制御した状態でRAMAN分析を行う手法です。
日産アークでは、充放電を行いながら活物質や電解液の情報を得ることや、一定電位で活物質や電解液の状態およびその分布を見ることができます。

X線散乱法による薄膜構造キャラクタリゼーション

X線散乱法による薄膜構造キャラクタリゼーション

nm薄膜や多様な結晶性の薄膜まで、様々な構造情報を提供します。

X線反射率法(XRR)による薄膜の膜厚、密度、界面状態解析

X線反射率法(XRR)による薄膜の膜厚、密度、界面状態解析

・nm〜数100nmの薄膜の膜厚、密度、ラフネスを定量的に評価できます。
・界面・表面の改質層、変質層を定量的に捉えることできます。
・材質を問わず、結晶質、非晶質のいずれも測定できます。

X線を用いた薄膜の配向性評価

X線を用いた薄膜の配向性評価

・結晶の方位分布を評価できます。
・結晶子径も測定・解析できます。

斜入射X線小角散乱(GI-SAXS)法による薄膜内のナノ構造の評価

斜入射X線小角散乱(GI-SAXS)法による薄膜内のナノ構造の評価

・薄膜内のナノメーターオーダーの構造を評価することができます。
・膜の組成を問わず、有機物、無機物のいずれも測定できます。

電子部品の断面観察

電子部品の断面観察

・はんだ接合部の精密な調製技術を有しております。
・オージェ電子分光法により界面の拡散層が分かります
・レーザ顕微鏡および画像処理により粒径などの定量が可能です。