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Gaの影響無く、化合物半導体試料の分析が可能です
Xe+FIBによる超薄切片加工
レーザーダイオードは、通信、センシング、医療など多様な分野で活用されており、高効率･高出力化が求められています。性能評価にはGaNやGaAsなどの化合物半導体材料の高分解能TEM分析が重要ですが、従来のGa+FIB加工ではGaの注入による材料変質が懸念されます。日産アークではXe+FIBを用いることで、加工時の変質を抑えたTEM分析が可能です。
青紫色レーザーダイオードのSTEM-EDX分析
Ga+FIBによる加工では、Gaの影響で画像全体に変質由来のコントラストが混ざっており、InGaN層界面が不明瞭ですが、Xe+FIBでは、Gaの影響がないためInGaN層が明瞭に観察されます。また、原子分解能STEM HAADF像より局所的な結晶格子の変化を捉えられます。
Xe+FIBを用いることでGaによる加工影響の懸念無く、化合物半導体材料の構造調査･リバースエンジニアリングの支援が可能です。
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