軟X線XAFSによるSiO負極の非破壊・非暴露での化学状態分析

Siの化学状態変化を、非破壊・非暴露で分析可能です

軟X線XAFS分析の特徴

低エネルギーのX線を利用した吸収分光法

軽元素の価数や配位状態の分析ができます。
表面の構造や電子状態の分析ができます。
・非破壊で深さ方向の化学状態分析ができます。
大気非暴露で表面分析ができます。
溶液の測定も可能です。
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軟X線XAFS分析は、非破壊・非暴露で
Siの化学状態の深さ方向分析ができます。

■ 測定手法
・部分電子収量法 (~数nm)
・全電子収量法 (~数10nm)
・蛍光収量法 (~数100nm)
■ 利用施設
・立命館大学SRセンター BL10
・あいちシンクロトロン光センター BL6N1

SiO負極の化学状態分析

・充放電に伴う、Siのピークの可逆的なシフトが確認されました。
・充電に伴いSiO2のピークが低エネルギー側にシフト (シリケート化) し、この変化は不可逆であることが確認されました。
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SiO負極の充放電反応において、SiクラスターがLiの脱挿入サイトとして働き、SiO2はシリケート化し不可逆サイトを形成していることが明らかとなりました。

SiOの局所構造解析

アモルファスSiOはSiとSiO2の足し合わせで再現されず、中間相の存在が示唆されました。

アモルファスSiOには、2つの結合長をもつSi-Oが存在する可能性が示唆されました。

XANESフィッティング、EXAFS解析により詳細な解析も可能です。

※測定は立命館大学SRセンターBL10で行われました。

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