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SiCの結晶状態の評価により、デバイス開発を支援します
ラマン分光法の有効性
半導体材料の評価は、結晶成長とデバイス開発を繋ぐ重要な知見を提供します。
パワー半導体として注目を集めているSiC結晶は、可視レーザーに対して透明で、ラマン散乱効率が大きいため、その評価にはラマン分光法が広く用いられています。
SiCエピタキシャル層 欠陥部の解析事例 (ポリタイプ判定)
共焦点顕微ラマンイメージング測定 ＋ 多変量解析によって、面内または深さ方向のポリタイプ (結晶多形) 分布を判定し、複雑な結晶欠陥の構造を明確にしました。
SiC基板 加工表面の評価事例 (結晶性、ひずみ)
光学顕微鏡では見えないダメージを可視化することが可能です。結晶基板に残留するダメージは、エピタキシャル成長プロセスにおいて潜傷を発生させるため、大きな問題となります。
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