お問い合わせ
ラマン分光法の半導体構造評価への有効性
共焦点顕微ラマンマッピング法は、半導体材料の結晶構造、結晶性、歪み、欠陥、キャリア濃度を、非破壊かつ高空間分解能で評価できる手法です。面内および深さ方向の分布を可視化できるため、結晶成長から製造プロセス中における構造評価が可能となります。三次元的な構造分布を非接触で評価可能です。
非破壊での表面および深さ方向の歪み分布評価
ラマン分光法では、ラマンピーク位置のシフト量を解析することで、半導体材料に内在する応力･歪み状態を評価することが可能です。共焦点顕微ラマンマッピング法を用いることで、表面 (面内) および深さ方向の歪み分布を非破壊で可視化できます。
非破壊でのキャリア濃度分布評価
ラマンピーク波形の変化から、半導体中のキャリア濃度を非破壊で評価できます。焦点深さを変えて測定することで、断面調製を行うことなく、深さ方向のキャリア濃度分布を可視化できます。
掲載資料をダウンロードできます。
PDF形式
左のアイコンをクリックすると、別ウインドウで開きます。
資料のダウンロードにはお客様情報の入力が必要となります。
お問い合わせフォーム