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活物質を識別して被膜の分布や被膜厚を調べることが可能です
AESの特徴を生かした被膜分析
オージェ電子分光法 (AES) は、高い空間分解能 (十数nm) と浅い分析深さ (約5nm) により、SEIの分析に効果的です。元素分布や深さ方向の分布を把握できるため、SEMの反射電子像と組み合わせることで、活物質を識別した上での被膜分析が可能です。
SEM反射電子像による活物質の識別
AESは二次電子像により分析位置を決めますが、二次電子像のコントラストでは活物質を識別することはできません。一方、反射電子像では、元素によりコントラストのつき方が大きく変わり、Si系粒子はGr粒子に比べ明るいため、反射電子像により活物質を識別することができます。
AESによる活物質種での深さ方向分析
200cyc品のGr粒子を比較すると、内巻側の方が粒子内部でのLi含有率が高く、表層付近においてO含有率が高い領域がやや深い様子が観測されました。また、200cyc品のSi系粒子においては、LiがSi系粒子やカーボン層にも存在している様子が観測されました。
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