SEI被膜の深さ方向での状態分布を把握できます
多波長光電子分光の概要
光電子の平均自由行程 (脱出深さ) は、励起エネルギーが大きいほど深くなります。日産アークでは、ラボでの2つ線源 (Al Kα線、Ag Lα線) に加え、あいちシンクロトロン光センターや、大型放射光施設SPring-8における8keV、14keVの励起光を用いた硬X線光電子分光 (HAXPES) により、非破壊での深さ方向分析が可能です。

SEI被膜の深さ方向での状態分布を把握できます
光電子の平均自由行程 (脱出深さ) は、励起エネルギーが大きいほど深くなります。日産アークでは、ラボでの2つ線源 (Al Kα線、Ag Lα線) に加え、あいちシンクロトロン光センターや、大型放射光施設SPring-8における8keV、14keVの励起光を用いた硬X線光電子分光 (HAXPES) により、非破壊での深さ方向分析が可能です。
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