新規導入装置 Wafer-to-Wafer接合の密着性定量評価

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新規導入装置 Wafer-to-Wafer接合の密着性定量評価

水分の影響を受けずに密着性を評価し、半導体の3D実装開発を支援します

GB-DCB装置の概要

半導体の3D実装において重要なW2W (Wafer-to-Wafer) 接合界面の密着性を定量評価可能なGB-DCB装置を導入しました。
ブレード式DCB (Double Cantilever Beam) 試験により、剥離長さから接合エネルギーG_cを算出します。
GB (Glove Box) 内評価により、水分の影響を受けずに安定した評価が可能です。
剥離面を大気非暴露で分析装置に搬送でき、密着性と剥離面の相関を調べることができます。

DCB試験の適用対象

W2W接合で以下のような課題をお持ちの場合、DCB試験は優れた評価手法となります。

✔ 接合の密着性を定量評価したい
✔ 評価値のばらつきを小さくしたい
✔ アニール条件を最適化したい
✔ プラズマ活性化条件を比較したい
✔ 接合不良の原因を調査したい

アニール温度による接合エネルギー評価例

・W2W接合では、アニール処理によりシロキサン結合 (Si-O-Si) を形成し、高い密着性を実現します。
・100、200、300℃アニール品を評価したところ、アニール温度が高いほど接合エネルギーが向上しました。
・再現性よく定量評価することで、接合プロセス条件の最適化を支援します。

本ウエハ接合強度評価装置は、横浜国立大学井上史大先生の監修のもと製作されています。

大気非暴露密着接合接着

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