電子線表面イメージング顕微鏡 (EP-SIM) による観察事例

電子顕微鏡法で試料の「最表面」に関する情報を得る場合、入射電子の加速電圧を極力抑える必要があります。従来型の走査型電子顕微鏡 (SEM) の場合、加速電圧は1~10kV程度ですので、これ以下の加速電圧では二次電子、反射電子の強度低下により、高倍率で鮮明な像を得ることは難しくなります。
当社の「電子線表面イメージング顕微鏡 (Electron Probe-Surface Imaging Microscope:EPーSIM) 」は、極低加速電圧領域での元素分析・電子回折はもとより高倍率で鮮明な像を得られます。

セラミックス繊維の表面形状観察 -表面の微細な形態をとらえる事ができます。

無蒸着のセラミック繊維を加速電圧を変えて観察した結果を写真1、2に示します。
一般的な加速電圧に比べ極低加速電圧での観察では、繊維表面の微細な形態をとらえる事ができます。

ガラス表面の付着物の観察 -無蒸着で絶縁物の測定ができます。

写真3、4はガラス表面に付着した指紋を観察した結果です。写真4は走査電子顕微鏡 (FE-SEM) で観察した結果ですが、ガラスのチャージアップの影響により、表面を鮮明に観察することはできません。
それに対して、EP-SIMではチャージアップが低減され無蒸着で形態を鮮明に観察することができます。

EP-SIMは物質表面のナノレベルでの形状観察や元素分析に威力を発揮します。
分析・解析の目的に応じて従来型のSEMとの使い分けをお奨めします。
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